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Si5481DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
T A = 25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 5 V thr u 2 V
16
12
8
1.5 V
8
6
4
T C = 125 °C
4
2
T C = 25 °C
0
1 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
2000
0.06
C iss
1500
0.04
V GS = 1.8 V
0.02
V GS = 2.5 V
1000
V GS = 4.5 V
500
C rss
C oss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 9.7 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 6.5 A
1.4
6
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.2
V GS = 4.5 V , 2.5 V , 1. 8 V
4
1.0
2
0. 8
0
0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73777
S-81448-Rev. C, 23-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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